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学术论文

垂直Bridgman多组元化合物晶体生长热质对流

2016年12月21日 16:03  点击:[]

论文名称: 垂直Bridgman多组元化合物晶体生长热质对流
作者: 陆军,白博峰,郭烈锦
来源出版物: 工程热物理学报
年卷期页: 2008,29(4):453-458
收录类型: EI
论文简介: 在垂直Bridgman晶体生长装置中,熔体的热质对流是由于温度梯度和浓度梯度间的相互作用引起的,而温度梯度和浓度梯度由晶体热物性和生长炉结构所决定。由于温度梯度和浓度梯度的耦合作用,坩埚中熔体的流动结构形式多样,由流动引起的溶质分布也呈多种形式。本文以GeSi多组元化合物半导体晶体为对象,数值研究了垂直Bridgman晶体生长过程中的热质对流现象,分析了热Rayleigh数、GeSi晶体热物性、生长炉结构对热质对流和径向溶质分凝的影响规律。结果表明:在垂直Bridgman装置中,熔体的热质对流是由于生长炉
原文链接: 垂直Bridgman多组元化合物晶体生长热质对流

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