Pb2+掺杂对不同带隙Cd1-xZnxS光催化产氢性能影响规律的研究
2016年12月21日 15:57 点击:[]
论文名称: Pb2+掺杂对不同带隙Cd1-xZnxS光催化产氢性能影响规律的研究
作者: 邢婵娟,郭烈锦
来源出版物: 西安交通大学学报
年卷期页: 2008,42(1):110-113
收录类型: EI
论文简介: 采用共沉淀法制备了pb2+掺杂的cd0.2zn0.8s及cd0.8zn0.2s固溶体光催化剂,实验结果表明,pb2+掺杂的宽带隙固溶体cd0.2zn0.8s在6s轨道与固溶体的价带杂化后提升了价带位置,降低了半导体的带隙,因而提高了产氢活性,当pb2+掺杂窄带隙固溶体cd0.8zn0.2s后,形成固溶体价带附近的杂质能级,并成为光生电子空穴复合中心,因而不能提高产氢性能,因此,pb2+对半导体的可见光改性仅适用于较宽带隙的半导体。
原文链接: Pb2+掺杂对不同带隙Cd1-xZnxS光催化产氢性能影响规律的研究
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