CdS薄膜结构表征与光电化学性能研究
2016年12月21日 15:31 点击:[]
论文名称: CdS薄膜结构表征与光电化学性能研究
作者: 苏进展,李明涛,张西民,郭烈锦
来源出版物: 武汉理工大学学报
年卷期页: 2006,28(SUPL2):568-573
收录类型: 其他
论文简介: 以超声喷雾热分解方法成功地制备了低成本高质量的CdS薄膜,用XRD、SEM、拉曼光谱、紫外可见吸收光谱,研究了4个不同沉积温度下制备的CdS薄膜的结构性质,并对其进行光电化学产氢性能测试。实验发现,薄膜结晶程度随着沉积温度的升高而增加,但禁带宽度保持不变。SEM测试显示薄膜均匀致密。表明此方法是一种有效的半导体薄膜电极制备方法。光电化学活性随着沉积温度的升高先增大后减小,在300℃为最佳,在187mW/cm^2的光照下此温度制备的电极的光电流密度饱和值约为4.imA/cm^2,且在电极电势为-0.13V(
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